CARATTERISTICHE
• Tempi di accesso ad alta velocità: - 10 ns
• Spegnimento automatico quando il chip è deselezionato
• Funzionamento a bassa potenza CMOS
- 60 μW (tipico) in standby CMOS
- 65 mW (tipico) operativo
• Livelli di interfaccia compatibili TTL
• Alimentazione singola da 3,3 V
• Funzionamento completamente statico: nessun orologio o aggiornamento richiesto
• Uscite a tre stati
• Disponibile senza piombo

DESCRIZIONE ISSI IS61LV256AL è un staticRAM a 32,768 wordby8 bit ad altissima velocità e bassa potenza. È fabbricato utilizzando la tecnologia CMOS ad alte prestazioni diISSI. Questo processo altamente affidabile abbinato a tecniche innovative di progettazione dei circuiti consente di ottenere tempi di accesso fino a 8 ns al massimo.
Quando CE è ALTO (deselezionato), il dispositivo assume una modalità di attesa in cui la dissipazione di potenza è ridotta a 150 μW (tipica) con i livelli di ingresso CMOS.
La semplice espansione della memoria viene fornita utilizzando un LOWChipEnable (CE) attivo. TheactiveLOWWriteEnable (WE) controlla sia la scrittura che la lettura della memoria.
IS61LV256AL è disponibile in JSDEC standard da 28-pin, 300-mil SOJ e 450-mil TSOP (Tipo I).