•VDD / VDDQ = 1.70-1.95V

•每字节数据的双向数据选通（DQS）

•内部流水线双倍数据速率（DDR）架构;每个时钟周期进行两次数据访问

•差分时钟输入（CK和CK＃）

•在每个正CK边缘输入的命令

•DQS与READ数据边缘对齐;以WRITE数据为中心

•4个内部银行，用于并行运营

•用于屏蔽写入数据的数据掩码（DM）;每字节一个掩码

•可编程突发长度（BL）：2,4,8或16

•支持并发自动预充电选项

•自动刷新和自刷新模式

•1.8V LVCMOS兼容输入

•温度补偿自刷新（TCSR）2

•部分阵列自刷新（PASR）

•深度断电（DPD）

•状态读取寄存器（SRR）

•可选输出驱动强度（DS）

•时钟停止功能

•64ms刷新;汽车温度范围为32ms

选项标记

•VDD / VDDQ - 1.8V / 1.8V H.

•配置

- 128 Meg x 16（32 Meg x 16 x 4 bank）128M16

- 64 Meg x 32（16 Meg x 32 x 4 bank）64M32

•寻址 - JEDEC标准LF

•塑料“绿色”包装

- 60球VFBGA（8mm x 9mm）DD

- 90球VFBGA（8mm x 13mm）BQ

•时间 - 周期时间

- 4.8ns @ CL = 3（208 MHz）

-48

•特殊选择

- 汽车（封装级老化）A

• 工作温度范围

- 从-40˚C到+85˚CIT

- 从-40˚C到+105˚C1AT

•设计修订：C注意：

1.联系工厂了解供货情况。

2.自刷新支持高达85ºC。

MT46H64M32LFBQ-48IT：C 新的和 原装在库存中，欢迎发送请求给我们！