■256 Kb铁电随机存取存储器（F-RAM） 逻辑组织为32K×8

❐高耐用性100万亿（1014）读/写

❐151年的数据保留（请参阅数据保留和持久性 在第14页上）

De NoDelay™写道

❐先进的高可靠性铁电工艺

■非常快速的串行外围设备接口（SPI）

frequency最高40 MHz的频率

❐直接更换串行闪存和EEPROM的硬件

❐支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）

■复杂的写保护方案

using使用写保护（WP）引脚进行硬件保护

using使用禁止写入指令进行软件保护

❐针对1 / 4、1 / 2或整个阵列的软件块保护

■设备ID

❐制造商ID和产品ID

■低功耗

40 2.5 MHz时的有效电流为40 MHz

❐150-A待机电流

❐8-A睡眠模式电流

■低压操作：VDD = 2.0 V至3.6 V

■工业温度：–40C到+85C

■套餐

❐8引脚小尺寸集成电路（SOIC）封装

❐8引脚双扁平无引线（DFN）封装

■符合有害物质限制（RoHS）

功能说明

FM25V02A是256 Kbit非易失性存储器，采用了 先进的铁电工艺。 F-RAM是非易失性的， 执行类似于RAM的读取和写入。提供可靠 保留了151年的数据，同时消除了复杂性， 串行引起的系统开销和系统级可靠性问题 闪存，EEPROM和其他非易失性存储器。

与串行闪存和EEPROM不同，FM25V02A执行写操作 以公交车速度运行。没有写延迟。数据是 每个字节后立即将其写入内存阵列 成功转移到设备。下一个公交周期可以 无需进行数据轮询即可开始。除此之外 与其他产品相比，该产品具有可观的书写耐力 非易失性存储器。 FM25V02A能够支持 1014个读/写周期，或多一亿倍的写周期 比EEPROM。

这些功能使FM25V02A非常适合非易失性 需要频繁或快速写入的内存应用程序。 示例包括数据记录，写次数 周期对于要求严格的工业控制至关重要， 串行闪存或EEPROM的长时间写入会导致数据丢失。

FM25V02A为串行用户提供了很多好处 EEPROM或闪存作为硬件的替代品。的 FM25V02A使用高速SPI总线，可增强 F-RAM技术的高速写入能力。装置 包含一个只读的设备ID，该ID允许主机 确定制造商，产品密度和产品 修订。设备规格在 工业温度范围为–40C至+85C。

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