SuperSOTTM-3 N沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺特别适合于最小化对态阻力。

这些器件特别适用于笔记本电脑，便携式电话，PCMCIA卡和其他电池供电电路中的低电压应用，其中快速开关和非常小的轮廓表面贴装封装需要低线内功率损耗。

特征

2.2 A，30 V，RDS（ON）= 0.065 W @ VGS = 4.5 VRDS（ON）= 0.082 W @ VGS = 2.5 V.行业标准外形SOT-23表面贴装封装采用专有的SuperSOTTM-3设计，具有优异的热和电气性能。高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）。出色的导通电阻和最大的直流电流能力。

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