这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的平面条纹DMOS技术生产。

这种先进技术特别适用于最小化通态电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。

这些器件非常适合低压应用，如音频放大器，高效开关DC / DC转换器和直流电机控制。

特征

•57A，100V，RDS（on）=0.023Ω@ VGS = 10 V.

•低栅极电荷（典型值85 nC）

•低Crss（典型值150 pF）

•快速切换

•100％雪崩测试

•改进的dv / dt功能

•最高结温温度为175°C

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