H27UAG8T2B是一款3.3V 16Gbit NAND闪存。器件在单个芯片中包含2个平面。每个飞机由512个街区组成。每个块由256个可编程页面组成。每页包含8,640个字节。

这些页面被细分为一个8,192字节的主数据存储区域和一个备用的448字节区域。页面编程操作可以在典型的1,600us内执行，并且单个块可以在典型的2.5ms内擦除。 Onchipcontrol逻辑单元自动执行擦除和编程操作，以最大限度地提高循环耐久性。

使用相关ECC和错误管理时，E / W耐久性规定为3,000个周期.H27UAG8T2B是需要大容量非易失性存储器的应用的最佳解决方案。