◆高速访问

- 商业：20/25/35/55 / 100ns（最大）

- 工业：25/55 / 100ns（最大）

- 军事：25/35/55 / 100ns（最大）

◆低功耗运行

- IDT7130 / IDT7140SA

- 有效：550mW（典型值）

- 待机：5mW（典型值）

- IDT7130 / IDT7140LA

- 有效：550mW（典型值）

- 待机：1mW（典型值）

◆MASTER IDT7130使用SLAVE IDT7140轻松将数据总线宽度扩展到16位或更多位

◆片上端口仲裁逻辑（仅限IDT7130）

◆IDT7130上的BUSY输出标志; IDT7140上的BUSY输入

◆用于端口到端口通信的INT标志

◆从任一端口完全异步操作

◆备用电池操作 - 2V数据保留（仅限LA）

◆TTL兼容，单5V±10％电源

◆符合MIL-PRF-38535 QML的军用产品

◆工业温度范围（-40°C至+ 85°C）可用于选定的速度

◆提供48引脚DIP，LCC和陶瓷扁平封装，52引脚PLCC和64引脚STQFP和TQFP

◆绿色部件可用，请参阅订购信息

描述

IDT7130 / IDT7140是高速1K x 8双端口静态RAM。 IDT7130设计用作独立的8位双端口RAM或“MASTER”双端口RAM，以及16位或更多字宽系统中的IDT7140“SLAVE”双端口。在16位或更多位存储器系统应用中使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM方法可实现全速，无差错操作，而无需额外的离散逻辑。

两款器件均提供两个独立端口，分别具有独立的控制，地址和I / O引脚，允许对存储器中任何位置的读写进行独立的异步访问。由CE控制的自动断电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功耗模式。这些器件采用CMOS高性能技术制造，通常仅需550mW的功率。低功耗（LA）版本提供电池备份数据保留功能，每个DualPort通常从2V电池消耗200μW。

IDT7130 / IDT7140器件采用48引脚侧面或塑料DIP，LCC，扁平封装，52引脚PLCC和64引脚TQFP和STQFP封装。军用级产品的制造符合最新版MIL-PRF-38535 QML，非常适合要求最高性能和可靠性的军用温度应用。