·浮动通道设计用于自举操作

·完全可操作至+600 V.

·耐负瞬态电压，dV / dt免疫

·栅极驱动电源范围为10 V至20 V.

·两个通道的欠压锁定

·3.3 V和5 V输入逻辑兼容

·两个通道的匹配传播延迟

·逻辑和电源地+/- 5 V偏移

·更低的di / dt栅极驱动器，可提供更好的抗噪性

·输出源/灌电流能力1.4 A / 1.8 A.

·符合RoHS标准

描述

IRS2184 / IRS21844是高压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和Latimmune CMOS技术可实现整体结构。

逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，专为最小驱动器交叉传导而设计。

浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600 V.

原装现货，欢迎发送请求给我们！