特征

•时钟频率：166,143,133 MHz

•完全同步;所有信号都参考正时钟边沿

•内部银行用于隐藏行访问/预充电

•电源Vdd Vddq IS42 / 45S16320B 3.3V 3.3V IS42S86400B 3.3V 3.3V

•LVTTL接口

•可编程突发长度 - （1,2,4,8，整页）

•可编程突发序列：顺序/交错

•自动刷新（CBR）

•自我刷新

•每16ms（A2级）或64 ms（商用，工业，A1级）8K刷新周期

•每个时钟周期的随机列地址

•可编程CAS延迟（2,3个时钟）

•突发读/写和突发读/单写操作能力

•突发停止和预充电命令突发终止

•提供54引脚TSOP-II和54引脚W-BGA（仅限x16）

•工作温度范围：商用：0℃至+ 70℃工业：-40℃至+ 85℃汽车，A1：-40℃至+ 85℃汽车，A2：-40℃至+ 105℃

概述

ISSI的512Mb同步DRAM使用流水线架构实现高速数据传输。所有输入和输出信号均指时钟输入的上升沿。 512Mb SDRAM的组织如下。

设备概述

512Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V Vdd和3.3V Vddq存储系统，包含536,870,912位。内部配置为具有同步接口的四存储体DRAM。每个134,217,728位的存储区被组织为8,192行×1024列×16位。每个x8的134,217,728位存储体被组织为8,192行，2048列×8位。 512MbSDRAM包括一个自动预热模式和一个省电，掉电模式。所有信号都记录在时钟信号CLK的上升沿。所有输入和输出均兼容LVTTL。 512Mb SDRAM能够以高数据速率同步突发数据，具有自动列地址生成功能，能够在内部存储体之间进行交错以隐藏预充电时间，并能够在突发访问期间随机更改每个时钟周期的列地址。

在启用AUTOPRECHARGE功能的情况下，在突发序列结束时启动的自定时行预充电可用。在访问其中一个银行时对一个银行进行预充电将隐藏预充电周期并提供无缝，高速，随机访问操作。 SDRAM读取和写入访问是在所选位置启动并继续编程序列中的编程数量的位置。 ACTIVE命令的注册开始访问，然后是READ或WRITE命令。 ACTIVE命令与寄存的地址位一起用于选择要访问的存储区和行（BA0，BA1选择存储区; A0-A12选择该行）。 READ或WRITE命令与注册的地址位一起用于选择突发访问的起始列位置。可编程的READ或WRITE突发长度包括1,2,4和8个位置或整页，带有突发终止选项。

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