•兼容开放式NAND闪存接口（ONFI）1.0

•单层电池（SLC）技术

•组织

–页面大小x8：2112字节（2048 + 64字节）

–页面大小x16：1056字（1024 + 32字）

–块大小：64页（128K + 4K字节）

–飞机尺寸：2飞机x每飞机2048块

–设备大小：4Gb：4096个块； 8Gb：8192个块16Gb：16,384个块

•异步I / O性能

–tRC / tWC：20ns（3.3V），25ns（1.8V）

•阵列性能

–阅读页：25µs 3

–程序页面：200µs（典型值：1.8V，3.3V）3

–擦除块：700µs（TYP）

•命令集：ONFI NAND闪存协议

•高级命令集

–程序页面缓存模式4

–读取页面缓存模式4

–一次性可编程（OTP）模式

–两平面命令4

–交错式裸片（LUN）操作

–读取唯一ID

–块锁（仅1.8V）

–内部数据移动

•操作状态字节提供检测软件的方法

–操作完成

–通过/失败条件

–写保护状态

•Ready / Busy＃（R / B＃）信号提供检测操作完成的硬件方法

•WP＃信号：写保护整个设备

•出厂时带有ECC的第一个块（块地址00h）有效。有关最低要求的ECC，请参阅错误管理。

•如果PROGRAM / ERASE周期小于1000，则块0需要1位ECC

•开机后第一个命令要求RESET（FFh）

•上电后设备初始化的另一种方法（Nand_Init）（联系工厂）

•在读取数据的平面内支持内部数据移动操作•质量和可靠性–数据保留：10年–耐久性：100,000个程序/擦除周期

•工作电压范围

– VCC：2.7–3.6V– VCC：1.7–1.95V

•工作温度：

–商业：0°C至+ 70°C

–工业（IT）：

–40ºC至+85ºC•封装

– 48针TSOP类型1，CPL2 – 63球VFBGA

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