W9825G6KH是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为4M字4存储体16位。 W9825G6KH可提供高达200M字/秒的数据带宽。为了完全符合个人计算机工业标准，W9825G6KH分为以下速度等级：

-5，-5I，-6，-6I，-6J，-6L，-75、75J和75L.-5 / -5I级零件符合200MHz / CL3规范（-5I工业级保证支持-40°C≤TA≤85°C）.- 6 / -6I / -6J / -6L级部件符合166MHz / CL3规范（-6I工业级保证可支持-40°C≤ TA≤85°C，-6J工业级，保证支持-40°C≤TA≤105°C）。

-75 / 75J / 75L级零件符合133MHz / CL3规范（保证可支持-40°C≤TA≤105°C的75J工业级零件）.- 6L和75L级零件支持自刷新电流IDD6以下

1.5 mA。对SDRAM的访问是面向突发的。当使用ACTIVE命令选择存储区和行时，可以以1、2、4、8或整页的突发长度访问一页中的连续内存位置。

列地址由SDRAM内部计数器在突发操作中自动生成。通过在每个时钟周期提供其地址，也可以进行随机列读取。

多存储体性质使内部存储体之间的交织能够隐藏预充电时间。通过具有可编程模式寄存器，系统可以更改突发长度，等待时间周期，交织或顺序突发，以最大化其性能。 W9825G6KH是高性能应用中主存储器的理想选择。

特征

3.3V±0.3V电源

高达200 MHz的时钟频率

4,194,304个单词

4家银行

16位组织

自刷新模式：标准和低功耗

CAS延迟：2和3

突发长度：1、2、4、8和整页

突发读取，单写入模式

由LDQM，UDQM控制的字节数据

掉电模式

自动预充电和受控预充电

8K刷新周期/ 64 mS，@ -40°C≤TA≤85°C

8K刷新周期/ 16 mS，@ 85°C

接口：LVTTL

采用符合RoHS要求的无铅材料，封装在TSOP II 54引脚，400百万-0.80中

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