W9825G6KH是一款高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为4M字4个bank×16位。 W9825G6KH提供高达200M字持续时间的数据带宽。

为了完全符合个人电脑行业标准，W9825G6KH分为以下速度等级：-5，-5I，-6，-6I，-6J，-6L，-75,75J和75L。-5 / -5I等级零件符合200MHz / CL3规范（-5I工业级，保证支持-40°C≤TA≤85°C）。

-6 / -6I / -6J / -6L等级部件符合166MHz / CL3规格（-6I工业级，保证支持-40°C≤TA≤85°C，-6J工业级等级，保证支持-40°C≤TA≤105°C）。-75 / 75J / 75L等级符合133MHz / CL3规格（75J工业级，保证支持-40°C≤TA≤105） C）。

-6L和75L等级的部件支持自刷新电流IDD6 max。 1.5 mA。对SDRAM的访问是面向突发的。当ACTIVE命令选择存储体和行时，一页中的连续存储器位置可以以1,2,4,8或整页的突发长度进行访问。列地址由SDRAM内部计数器在burstoperation中自动生成。

通过在每个时钟周期提供其地址，也可以进行随机列读取。多个存储区性质使得内部存储体之间的交错能够隐藏预充电时间。通过具有可编程模式寄存器，系统可以改变突发长度，等待时间周期，交错或连续突发以最大化其性能。 W9825G6KH非常适合高性能应用中的主存储器。

2.特点

3.3V±0.3V电源

高达200 MHz的时钟频率

4,194,304字4银行16比特组织

自刷新模式：标准和低功耗

CAS延迟：2和3

突发长度：1,2,4,8和全页

突发读取，单写模式

字节数据由LDQM，UDQM控制

掉电模式

自动预充电和可控预充电

8K刷新周期/ 64 mS，@ -40°C≤TA≤85°C

8K刷新周期/ 16 mS，@ 85°C< TA≤105°C

接口：LVTTL

采用TSOP II 54引脚，400 mil-0.80封装，采用符合RoHS标准的无铅材料

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