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简单介绍
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产品特性
| 技术: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
|---|---|
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 70 mOhm @ 20A |
| 功率耗散（最大）: | 282W (Tc) |
| 包: | TO-247AB |
| 工作温度: | 175C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 1200V |
| : | 20A (Tc) |
| Email: | XXX@yjseo.co |
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