集成电路-LingCheng 电子元器件有限公司-电子元件分销商
VGS(TH)(最大)@标识: | 4V @ 250A |
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Vgs(最大): | 30V |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压: | 850 mOhm @ 4.8A, 10V |
功率耗散(最大): | 3.1W (Ta), 125W (Tc) |
包: | D2PAK |
工作温度: | -55C ~ 150C (TJ) |
安装类型: | Surface Mount |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1100pF @ 25V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 39nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
: | 10V |
漏极至源极电压(Vdss): | 500V |
: | 8A (Tc) |
Email: | XXX@yjseo.co |