Eigenschaften
● Logikstufe
● Advanced Process Technology
● Extrem niedriger Einschaltwiderstand
● 175 ° C Betriebstemperatur
● Schnelles Umschalten
● Wiederholungslawine zulässig bis Tjmax
● Bleifrei, RoHS-konform
● Fahrzeugqualifiziert *
Beschreibung
Speziell für Automobilanwendungen entwickelt,
Dieser HEXFET® Power MOSFET verwendet die neuesten Funktionen
Verarbeitungstechniken zur Erzielung eines extrem niedrigen Einschaltwiderstands pro Siliziumfläche. Zusätzliche Funktionen dazu
Design ist eine Betriebstemperatur von 175 ° C,
schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte Wiederholungssicherheit. Diese Funktionen kombinieren dies
konstruieren Sie ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für
Verwendung in Automobilanwendungen und einer Vielzahl von
andere Anwendungen.

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