Feldeffekttransistor im N-Kanal-Anreicherungsmodus in einem Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS ™ 1-Technologie. Produktverfügbarkeit: SI2302DS in SOT23.

Eigenschaften

■ TrenchMOS ™ -Technologie

■ Sehr schnelles Umschalten

■ Kompatibel mit Logikstufen

■ Subminiatur-Aufputzgehäuse

Anwendungen

■ Batteriemanagement

■ Hochgeschwindigkeitsschalter

■ DC / DC-Wandler mit geringem Stromverbrauch

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