Niedrige Sättigungsspannung von Kollektor zu Emitter VCE (sat) = 1,35 V typ. (bei IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25 ° C)

Eingebaute Fast Recovery-Diode in einem Gehäuse 

Trench-Gate- und Thin-Wafer-Technologie 

Hochgeschwindigkeitsumschaltung tf = 74 ns typ. (bei IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 , Ta = 25 ° C, induktive Last)

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