W9825G6KH ist ein synchroner dynamischer Hochgeschwindigkeits-Direktzugriffsspeicher (SDRAM), der in 4M-Wörtern (4 Bänke) mit 16 Bit organisiert ist. Der W9825G6KH bietet eine Datenbandbreite von bis zu 200 Millionen Wörtern pro Sekunde.

Um den Industriestandard für Personalcomputer vollständig zu erfüllen, ist W9825G6KH in die folgenden Geschwindigkeitsstufen unterteilt: -5, -5I, -6, -6I, -6J, -6L, -75, 75J und 75L.

Die Teile der Klasse -5 / -5I entsprechen der Spezifikation 200MHz / CL3 (die Industrieklasse -5I, die für -40 ° C ≤ TA ≤ 85 ° C garantiert ist) .Die Klasse -6 / -6I / -6J / -6L Teile entsprechen der 166MHz / CL3-Spezifikation (die -6I-Industrieklasse unterstützt garantiert -40 ° C ≤ TA ≤ 85 ° C, die -6J-Industrieklasse plus unterstützt garantiert -40 ° C ≤ TA ≤ 105 ° C) C). Die Teile der Klasse -75 / 75J / 75L entsprechen der Spezifikation 133MHz / CL3 (das 75J-Industrieplusgrade, das garantiert -40 ° C ≤ TA ≤ 105 ° C unterstützt).

Die Teile der Klassen -6L und 75L unterstützen den Selbstauffrischungsstrom IDD6 von max. 1,5 mA. Zugriffe auf das SDRAM sind Burst-orientiert. Aufeinanderfolgende Speicherplätze auf einer Seite können mit einer Burst-Länge von 1, 2, 4, 8 oder einer vollen Seite abgerufen werden, wenn eine Bank und eine Zeile von einem ACTIVE-Befehl ausgewählt werden.

Spaltenadressen werden automatisch vom internen SDRAM-Zähler im Burst-Betrieb generiert. Das zufällige Lesen von Spalten ist auch möglich, indem die Adresse bei jedem Taktzyklus angegeben wird.

Die Mehrfachbanknatur ermöglicht die Verschachtelung zwischen internen Banken, um die Vorladezeit zu verbergen. Durch ein programmierbares Modusregister kann das System die Burst-Länge, den Latenzzyklus, die Verschachtelung oder den sequentiellen Burst ändern, um seine Leistung zu maximieren. Der W9825G6KH ist ideal für Hauptspeicheranwendungen mit hoher Leistung.

2. EIGENSCHAFTEN

 Spannungsversorgung 3,3 V ± 0,3 V

 Bis zu 200 MHz Taktfrequenz

 4.194.304 Wörter

 4 Banken

 16-Bit-Organisation

 Selbstauffrischungsmodus: Standard und geringer Stromverbrauch

 CAS-Latenzzeit: 2 und 3

 Burst-Länge: 1, 2, 4, 8 und ganze Seite

 Burst Read, Einzelschreibmodus

 Von LDQM, UDQM gesteuerte Byte-Daten

 Ausschaltmodus

 Auto-Precharge und Controlled Precharge

 8K-Auffrischzyklen / 64 mS, bei -40 ° C ≤ TA ≤ 85 ° C

 8K-Auffrischzyklen / 16 mS, bei 85 ° C

 Schnittstelle: LVTTL

 Verpackt in TSOP II 54-polig, 400 mil - 0,80, unter Verwendung bleifreier Materialien mit RoHS-Konformität

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