IC-Stocks.com-LingCheng Electronic Components Ltd-Distributor elektronischer Bauteile
GA10SICP12-263
GA10SICP12-263
Teilenummer:
GA10SICP12-263
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung:
TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
Bestandsmenge:
0 pcs

Einführung

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Technische Daten

Technologie:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 10A
Verlustleistung (max):170W (Tc)
Paket:D2PAK (7-Lead)
Betriebstemperatur:175C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1403pF @ 800V
Drain-Source-Spannung (Vdss):1200V
:25A (Tc)
Email:XXX@yjseo.co

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