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SQJ418EP-T1_GE3
SQJ418EP-T1_GE3
Teilenummer:
SQJ418EP-T1_GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 48A SO8
Bestandsmenge:
0 pcs

Einführung

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Technische Daten

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250A
Vgs (Max):20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:14 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max):68W (Tc)
Paket:PowerPAK? SO-8
Betriebstemperatur:-55C ~ 175C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
:10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
:48A (Tc)
Email:XXX@yjseo.co

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