Los transistores de efecto de campo de modepower de potencia de nivel lógico SuperSOTTM-3 N-Channel se producen utilizando la tecnología DMOS patentada y de alta densidad de células de Fairchild. Este proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en el estado.

Estos dispositivos son particularmente adecuados para aplicaciones de bajo voltaje en computadoras portátiles, teléfonos portátiles, tarjetas PCMCIA y otros circuitos alimentados por batería en los que se necesita una conmutación rápida y una baja pérdida de energía en línea en un paquete de montaje de superficie de contorno muy pequeño.

Caracteristicas

2.2 A, 30 V, RDS (ENCENDIDO) = 0.065 W @ VGS = 4.5 VRDS (ENCENDIDO) = 0.082 W @ VGS = 2.5 V. Paquete de montaje de superficie SOT-23 de contorno estándar de la industria utilizando el diseño patentado SuperSOTTM-3 para capacidades térmicas y eléctricas superiores. Diseño de celda de alta densidad para RDS extremadamente bajo (ENCENDIDO) .Excepcional resistencia a la conexión y máxima capacidad de corriente DC.

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