Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia posible por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, le brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

El D-PAK está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de soldadura en fase de vapor, infrarrojo o por onda. La versión de cable recto (serie IRFU) es para aplicaciones de montaje de orificio pasante. Son posibles niveles de disipación de potencia de hasta 1,5 vatios en aplicaciones típicas de montaje en superficie

Nivel lógico de unidad de puerta?

¿Ultra-baja resistencia?

Montaje en superficie (IRLR3410)?

Plomo recto (IRLU3410)?

¿Tecnología avanzada de procesos?

Cambio rápido?

Totalmente calificado de avalancha 

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