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NXP SI2302DS Transistor de efecto de campo en modo de mejora de canal N IC-STOCKS

  • Autor:Salmón ye
  • Fuente:www.ic-stocks.com
  • Liberar:2019-07-12
Descripción

Transistor de efecto de campo en modo de mejora de canal N en un paquete de plástico con tecnología TrenchMOS ™ 1. Disponibilidad del producto: SI2302DS en SOT23.

Caracteristicas

■ Tecnología TrenchMOS ™

■ Cambio muy rápido.

■ Nivel lógico compatible

■ Paquete de montaje en superficie subminiatura

Aplicaciones

■ gestión de la batería

■ interruptor de alta velocidad

■ Convertidor de CC a CC de baja potencia




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