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Renesas RQA0009SXAQSTL-E Silicon N-Channel MOS FET ic-stocks

  • Autor:salmón ye
  • Fuente:www.ic-stocks.com
  • Liberar:2018-09-07
Caracteristicas

• Alta potencia de salida, alta ganancia, alta eficiencia, salida = +37.8 dBm, ganancia lineal = 18 dB, PAE = 65% (VDS = 6 V, f = 520 MHz)

• Paquete compacto capaz de montaje en superficie

• Prueba de inmunidad de descarga electrostática (norma IEC, 61000-4-2, nivel 4)






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