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SQJ418EP-T1_GE3
- Número de pieza:
- SQJ418EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 48A SO8
- Cantidad de stock:
- 0 pcs
Introducción
Podemos suministrar la parte # SQJ418EP-T1_GE3, utilizamos el formulario de cotización de solicitud para solicitar SQJ418EP-T1_GE3 pirce y plazo de ejecución. Fuente componentes electrónicos-www.IC-stocks.com es un distribuidor de almacenamiento independiente de componentes electrónicos. Con 3 + millones de artículos de línea de los componentes electrónicos disponibles pueden enviar en corto plazo de entrega, más de 300.000 números de parte de los componentes electrónicos en stock de inmediato, que pueden incluir el número de parte SQJ418EP-T1_GE3. El precio y plazo de ejecución de SQJ418EP-T1_GE3 dependiendo de la cantidad requerida, disponibilidad y ubicación del almacén. Éntrenos en contacto con hoy y nuestro representante de ventas le proporcionará precio y entrega en la parte # SQJ418EP-T1_GE3. Esperamos con interés hacer negocios con usted.
Presupuesto
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 250A |
|---|---|
| Vgs (Max): | 20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 14 mOhm @ 10A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 68W (Tc) |
| Paquete: | PowerPAK? SO-8 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55C ~ 175C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1700pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| : | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| : | 48A (Tc) |
| Email: | XXX@yjseo.co |
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