Alimentation simple 2.3V - 3.6V ou 2.5V - 3.6V

Compatible avec l'interface SPI (Serial Peripheral Interface)

Prend en charge les modes SPI 0 et 3

Prend en charge le fonctionnement RapidS ™

Fonction de lecture continue sur tout un tableau

Jusqu'à 85 MHz

Option de lecture basse consommation jusqu'à 15 MHz

Temps de sortie d'horloge (TV) de 6ns maximum

Format de page configurable par l'utilisateur

512 octets par page

528 octets par page (par défaut)

La taille de la page peut être pré-configurée en usine pour 512 octets

Deux mémoires tampons de données SRAM totalement indépendantes (512/528 octets)

Permet de recevoir des données lors de la reprogrammation de la matrice de mémoire principale

Options de programmation flexibles

Programme octet / page (1 à 512/528 octets) directement dans la mémoire principale

Mémoire tampon

Programme tampon sur page principale de la mémoire

Options d'effacement flexibles

Effacement de page (512/528 octets) 

Effacement de bloc (4KB)

Effacement de secteur (128 Ko)

Effacement de puce (16 Mbits) 

Programmer et effacer Suspendre / Reprendre

Fonctions avancées de protection des données matérielles et logicielles software

Protection de secteur individuel

Verrouillage de secteur individuel pour que tout secteur soit en lecture seule permanente

Registre de sécurité programmable une fois (OTP) sur 128 octets

64 octets d'usine programmés avec un identifiant unique unique

64 octets programmables par l'utilisateur

Options de réinitialisation contrôlées par matériel et logiciel

JEDEC Fabricant standard et ID de périphérique lu

Dissipation à faible puissance

Courant de coupure ultra-profonde 400nA (typique)

Courant de décélération profond de 3μA (typique)

Courant de veille 25μA (typique à 20 MHz)

11mA Actif Lecture courant (typique)

Endurance: 100 000 cycles de programmation / effacement par page minimum

Conservation des données: 20 ans

Conforme à la plage de température industrielle complète

Options d'emballage vert (sans plomb ni halogénure / conforme à RoHS)

SOIC à 8 dérivations (0,150 "de large et 0,208" de large)

DFN ultra-mince à 8 pads (5 x 6 x 0.6mm) 

UBGA ultra-mince à 9 billes (6 x 6 x 0,6 mm)

La description

L'Adesto® AT45DB161E est une mémoire flash à accès série à accès série de 2,3 V ou 2,5 V minimum, parfaitement adaptée à une grande variété d'applications de stockage de données vocales, d'images, de codes de programmes et numériques.

L'AT45DB161E prend également en charge l'interface série RapidS pour les applications nécessitant un fonctionnement à très grande vitesse. Ses 17 301 504 bits de mémoire sont organisés en 4 096 pages de 512 octets ou 528 octets.

En plus de la mémoire principale, l'AT45DB161E contient également deux mémoires tampon SRAM de 512/528 octets chacune. Les mémoires tampons permettent de recevoir des données lorsqu'une page de la mémoire principale est en cours de programmation.

L'entrelacement entre les deux mémoires tampons peut considérablement augmenter la capacité d'un système à écrire un flux de données continu. De plus, les mémoires tampons SRAM peuvent être utilisées comme mémoire supplémentaire du bloc-notes du système et l'émulation E2PROM (altérabilité des bits ou des octets) peut être facilement gérée au moyen d'une opération autonome de lecture-modification-écriture en trois étapes.

Contrairement aux mémoires Flash classiques auxquelles on accède de manière aléatoire avec plusieurs lignes d'adresse et une interface parallèle, l'Adesto DataFlash® utilise une interface série pour accéder de manière séquentielle à ses données.

Le simple accès séquentiel réduit considérablement le nombre de broches actives, facilite la configuration matérielle simplifiée, augmente la fiabilité du système, minimise le bruit de commutation et réduit la taille du boîtier.

L'appareil est optimisé pour une utilisation dans de nombreuses applications commerciales et industrielles où une densité élevée, un nombre de broches faible, une tension faible et une consommation réduite sont essentiels.Pour permettre une reprogrammabilité simple du système, l'AT45DB161E ne nécessite pas de puissance d'entrée élevée. tensions pour la programmation.

L'appareil fonctionne avec une alimentation unique de 2,3 V à 3,6 V ou de 2,5 V à 3,6 V pour les opérations d'effacement, de programmation et de lecture. L’AT45DB161E est activé via la broche de sélection de puce (CS) et accessible via une interface à 3 fils comprenant l’entrée série (SI), la sortie série (SO) et l’horloge série (SCK). Tous les cycles de programmation et d’effacement sont auto-programmés. chronométré.

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