◆ FET MOS de puissance à canal N

◆ Structure DMOS

◆ faible résistance à l'état passant: 0,11 Ω (max)

◆ Commutation ultra haute vitesse

◆ Forfait SOT-89

■ les applications

● PC portables

● Téléphones cellulaires et portables

● Alimentations embarquées

● systèmes de batterie Li-ion

■ Description générale

Le XP161A02A1PR est un FET MOS de puissance à canal N offrant une faible résistance de marche et des caractéristiques de commutation ultra-rapides.Parce que la commutation à haute vitesse est possible, le circuit intégré peut être efficacement installé, en permettant une économie d'énergie. Le petit boîtier SOT-89 permet un montage haute densité possible

■ Caractéristiques

Résistance à l'état passant faible: Rds (activé) = 0,11Ω (Vgs = 4,5 V): Rds (activé) = 0,17Ω (Vgs = 2,5 V) Commutation à très haute vitesse Tension de fonctionnement: 2,5 V Montage haute densité: SOT-89

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