Diodes Mosfet Transistors Incorporated DMP10H400SK3-13 Diodes incorporées

• Auteur:lulu
• La source:www.ic-stocks.com
• Libération sur:2021-09-06

Caractéristiques

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Rechercher similaire
Fabricant:	Diodes incorporées
Catégorie de produit:	Mosfet
RoHS:	Des détails
La technologie:	Si
Style de montage:	SMD / SMT
Emballage / cas:	À -52-3
Polarité du transistor:	Canal p
Nombre de canaux:	1 canal
VDS - Voltage de la rupture de la source de drainage:	100 V
ID - Courant de vidange continu:	9 un
RDS sur - Résistance à la source de drainage:	240 Mohms
VGS - Voltage de la source:	- 20 V, + 20 V
VGS TH - Tension de seuil de gate-source:	1 V
QG - Charge de la porte:	17.5 NC
Température minimale de fonctionnement:	- 55 c
Température de fonctionnement maximale:	+ 150 c
PD - Dissipation de puissance:	42 W
Mode canal:	Renforcement
Emballage:	Casserole
Emballage:	Mouseeler
Emballage:	Bobine
Configuration:	Seul
Séries:	DMP10
Type de transistor:	1 canal p
Marque:	Diodes incorporées
Temps d'automne:	34,4 ns
Type de produit:	Mosfet
Temps de montée:	14,9 ns
Quantité de paquet d'usine:	2500
Sous-catégorie:	MOSFETS
Délai de désactivation typique:	57,4 ns
Délai d'activation typique:	9.1 ns
Unité de poids:	0.011640 oz

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