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GA100JT12-227
GA100JT12-227
Numéro d'article:
GA100JT12-227
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
La description:
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Quantité en stock:
0 pcs

introduction

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Caractéristiques

La technologie:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 100A
Dissipation de puissance (max):535W (Tc)
Paquet:SOT-227
Température de fonctionnement:-55C ~ 175C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:14400pF @ 800V
Tension drain-source (Vdss):1200V
:160A (Tc)
Email:XXX@yjseo.co

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