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GA10JT12-263
GA10JT12-263
Numéro d'article:
GA10JT12-263
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
La description:
TRANS SJT 1200V 25A
Quantité en stock:
0 pcs

introduction

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Caractéristiques

La technologie:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:120 mOhm @ 10A
Dissipation de puissance (max):170W (Tc)
Température de fonctionnement:175C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1403pF @ 800V
Tension drain-source (Vdss):1200V
:25A (Tc)
Email:XXX@yjseo.co

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