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GA20JT12-247
GA20JT12-247
Numéro d'article:
GA20JT12-247
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
La description:
TRANS SJT 1.2KV 20A
Quantité en stock:
0 pcs

introduction

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Caractéristiques

La technologie:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 20A
Dissipation de puissance (max):282W (Tc)
Paquet:TO-247AB
Température de fonctionnement:175C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Tension drain-source (Vdss):1200V
:20A (Tc)
Email:XXX@yjseo.co

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