Αυτά τα transistor τα πεδία ισχύος ισχύος N-Channel δημιουργούνται χρησιμοποιώντας την ιδιόκτητη, επίπεδη τεχνολογία DMOS της Fairchild.

Αυτή η προηγμένη τεχνολογία έχει σχεδιαστεί ειδικά προσαρμοσμένη στην αντοχή σε κατάσταση, παρέχει ανώτερη απόδοση μεταγωγής και αντέχει σε υψηλό παλμό ενέργειας στη λειτουργία ζουμ και συνδιάλεξης.

Αυτές οι συσκευές είναι κατάλληλες για εφαρμογές χαμηλής τάσης, όπως ενισχυτή ήχου, μετατροπείς συνεχούς ρεύματος DC / DC υψηλής απόδοσης και ελέγχου κινητήρα DC.

Χαρακτηριστικά

• 57Α, 100V, RDS (on) = 0,023Ω @ VGS = 10 V

• Χαμηλή φόρτιση πύλης (τυπική 85 nC)

• Χαμηλή Crss (τυπική 150 pF)

• Γρήγορη εναλλαγή

• Δοκιμή χιονοστιβάδας 100%

• Βελτιωμένη ικανότητα dv / dt

• Μέγιστη θερμοκρασία θερμοκρασίας διασταύρωσης 175 ° C

Νέα και Αρχικό στο απόθεμα, καλώς ήρθατε να μας στείλετε το αίτημα!