H27UAG8T2B è una singola memoria flash NAND da 3,3 V a 16 Gbit. Il dispositivo contiene 2 piani in un singolo dado. Ogni piano è composto da 512 blocchi. Ogni blocco consiste di 256 pagine programmabili. Ogni pagina contiene 8.640 byte.

Le pagine sono suddivise in un'area di memorizzazione dei dati principale di 8.192 byte con un distretto di 448 byte di riserva. L'operazione del programma di pagina può essere eseguita in tipico 1,600us e un singolo blocco può essere cancellato in 2,5 ms tipici. L'unità logica OnchipControl automatizza le operazioni di cancellazione e programmazione per massimizzare la durata del ciclo.

La durata E / W è stabilita in 3.000 cicli quando si utilizza la gestione ECC e degli errori rilevanti. H27UAG8T2B è la soluzione migliore per le applicazioni che richiedono una memoria di memoria non volatile di grandi dimensioni.