· Canale mobile progettato per l'operazione di bootstrap

· Completamente operativo a +600 V

· Tollerante a tensione transitoria negativa, dV / dt immune

· Intervallo di alimentazione del gate drive da 10 V a 20 V

· Blocco sottotensione per entrambi i canali

· Compatibile con logica di ingresso 3,3 V e 5 V

· Ritardo di propagazione con corrispondenza per entrambi i canali

· Logica e messa a terra +/- 5 V offset

· Driver gate di / dt inferiore per una migliore immunità ai disturbi

· Sorgente di uscita / capacità corrente assorbita 1,4 A / 1,8 A

· A norma RoHS

Descrizione

I modelli IRS2184 / IRS21844 sono driver MOSFET eIGBT ad alta tensione e alta velocità con canali di uscita di riferimento a basso lato dipendente e lato basso. Tecnologie CMOS HVIC e Latchimmune proprietarie abilitate per la costruzione monolitica.

L'ingresso logico è compatibile con l'uscita standardCMOS o LSTTL, fino a 3,3 V logici. I driver di uscita dispongono di uno stadio buffer ad alta corrente di impulso progettato per una conduzione incrociata minima del driver.

Il canale mobile può essere utilizzato per pilotare un MOSFET o IGBT di potenza a canale N nella configurazione high-side che opera fino a 600 V

Nuovo e Originale nel magazzino, benvenuto per inviare la richiesta a noi!