Gli HEXFET di International Dynamics della quinta generazione utilizzano tecniche di elaborazione avanzate per ottenere la minor resistenza possibile per area di silicio. Questo vantaggio, combinato con la velocità di commutazione rapida e il design robusto del dispositivo per cui i MOSFET di potenza HEXFET sono ben noti, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente da utilizzare in un'ampia varietà di applicazioni.

Il D-PAK è progettato per il montaggio su superficie utilizzando tecniche di fase vapore, infrarosso o a onde. La versione a piombo dritto (serie IRFU) è per applicazioni di montaggio passanti. I livelli di dissipazione di potenza fino a 1,5 watt sono possibili nelle tipiche applicazioni di montaggio superficiale

Logic Level Gate Drive?

Resistenza all'urto ultra bassa?

Montaggio superficiale (IRLR3410)?

Piombo dritto (IRLU3410)?

Tecnologia di processo avanzata?

Cambio rapido?

Completamente valanghe 

Senza piombo

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