• Canale mobile progettato per l'operazione di bootstrap

• Completamente operativo a +600 V

• Tollerante alla tensione transitoria negativa, dV / dt immune

• Campo di alimentazione del gate drive da 10 V a 20 V

• Blocco sottotensione

• Compatibile con logica 3,3 V, 5 V e 15 V

• Logica di prevenzione della conduzione incrociata

• Ritardo di propagazione corrispondente per entrambi i canali

• Tempo morto impostato interno

• Uscita high-side in fase con ingresso HIN

• Uscita lato basso sfasata con? ingresso

A norma RoHS

Descrizione

L'IRS2103 è un driver MOSFET e IGBT di potenza ad alta tensione e alta velocità con canali di uscita referenziati ad alto e basso volume. Le tecnologie proprietarie HVIC e Latch immune CMOS consentono una costruzione monolitica rinforzata. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino a 3,3 V logici. I driver di uscita dispongono di uno stadio di buffer di corrente ad alto impulso progettato per una crossconduction minima del driver. Il canale mobile può essere utilizzato per pilotare un MOSFET o IGBT di potenza a canale N nella configurazione high-side che opera fino a 600 V.

Nuovo e originale nel magazzino, benvenuto per inviare la richiesta a noi!
Contattaci se hai domande o hai bisogno di aiuto.


LINGCHENG trasforma i tuoi sogni in realtà.

Fornitori di IC in Cina
Produttore di componenti elettronici
Fornitore della Cina di parti elettroniche