Questo MOSFET di potenza è l'ultimo sviluppo di STMicroelectronics unico "single feature size" processo basato su strisce. Il transistor risultante mostra una densità di impaccamento estremamente elevata per caratteristiche di bassa resistenza e robustezza e passaggi di allineamento meno critici quindi a notevole riproducibilità della produzione.

Applicazione

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