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notizia

MOSFET TOSHIBA TPH2R506PL MOS-ST MOSCHET N-channel in silicio N-channel

  • Autore:Salmone Ye
  • fonte:www.ic-stocks.com
  • Rilascio:2019-07-16
applicazioni

• Convertitori cc-cc ad alta efficienza

• Regolatori di tensione di commutazione

• Driver del motore

Caratteristiche

(1) Commutazione ad alta velocità

(2) Carica piccola porta: QSW = 19 nC (tip.)

(3) Piccola carica in uscita: Qoss = 51 nC (tip.)

(4) Resistenza on-source bassa drain-source: RDS (ON) = 1,9 mΩ (tip.) (VGS = 10 V)

(5) Corrente di dispersione bassa: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)

(6) Modalità di miglioramento: Vth = 1,5 a 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)




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