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2N7635-GA
2N7635-GA
Numero di parte:
2N7635-GA
fabbricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
TRANS SJT 650V 4A TO-257
Quantità stock:
0 pcs

introduzione

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specificazioni

Tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Rds On (max) a Id, Vgs:415 mOhm @ 4A
Dissipazione di potenza (max):47W (Tc)
Pacchetto:TO-257
temperatura di esercizio:-55C ~ 225C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:324pF @ 35V
Tensione drain-source (Vdss):650V
:4A (Tc) (165C)
Email:XXX@yjseo.co

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