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GA10SICP12-263
GA10SICP12-263
Numero di parte:
GA10SICP12-263
fabbricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
Quantità stock:
0 pcs

introduzione

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specificazioni

Tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Rds On (max) a Id, Vgs:100 mOhm @ 10A
Dissipazione di potenza (max):170W (Tc)
Pacchetto:D2PAK (7-Lead)
temperatura di esercizio:175C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1403pF @ 800V
Tensione drain-source (Vdss):1200V
:25A (Tc)
Email:XXX@yjseo.co

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