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NSVBC114EDXV6T1G
NSVBC114EDXV6T1G
Numero di parte:
NSVBC114EDXV6T1G
fabbricante:
ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563
Quantità stock:
0 pcs

introduzione

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specificazioni

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Tipo transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):10k
Resistenza - Base (R1) (ohm):10k
Potenza - Max:500mW
Pacchetto:SOT-563
Tipo montaggio:Surface Mount
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:35 @ 5mA, 10V
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:XXX@yjseo.co

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