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FM25CL64BG RAMTRON SOP8 ic-stocks.com

  • 著者:ルル
  • ソース:www.ic-stocks.com
  • 発行：:2018-08-15
特徴
■64Kビット強誘電体ランダムアクセスメモリ（F-RAM）を論理的に 8K×8
❐高耐久性100兆（1014）の読み書き
151年間のデータ保持（データ保持と 耐久性テーブル）
❐NoDelay™の書き込み
❐先進の高信頼性強誘電プロセス
■非常に高速のシリアル・ペリフェラル・インタフェース（SPI）
最大20 MHzの周波数
シリアルフラッシュとEEPROMのハードウェアの直接交換
●SPIモード0（0、0）とモード3（1,1）をサポートします。
■洗練された書き込み保護方式
❐ライトプロテクト（WP）ピンを使用したハードウェア保護
❐書き込み禁止命令によるソフトウェア保護
❐1 / 4,1 / 2、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護
■低消費電力
❐1 MHzで200Aのアクティブ電流
❐3A（typ）のスタンバイ電流
■低電圧動作：VDD = 2.7〜3.65 V
■工業用温度：-40℃〜+ 85℃
■パッケージ
❐8ピン・スモール・アウトライン集積回路（SOIC）パッケージ
➜8ピン薄型デュアルフラットノーリード（DFN）パッケージ
■有害物質の規制（RoHS）に準拠

機能性 説明

FM25CL64Bは、64Kビットの不揮発性メモリで、 高度な強誘電プロセス。強誘電体ランダムアクセス メモリまたはF-RAMは不揮発性であり、読み出しおよび書き込みを実行する RAMに似ています。 151年間信頼性の高いデータ保持を実現 複雑さ、オーバーヘッド、およびシステムレベルを排除します シリアルフラッシュ、EEPROMなどの信頼性の問題 不揮発性メモリ。

シリアルフラッシュとEEPROMとは異なり、FM25CL64Bは、 書き込み動作をバス速度で行う。書き込み遅延は発生しません。データ 各バイトが読み込まれた直後にメモリアレイに書き込まれる デバイスに正常に転送されました。次のバスサイクルは、 データポーリングの必要なしに開始します。加えて 製品は他と比較して大幅な書き込み耐久性を提供 不揮発性メモリ。 FM25CL64Bは、 1014回のリード/ライトサイクル、または1億回以上のライトサイクル EEPROMよりも

これらの機能により、FM25CL64Bは不揮発性 頻繁または迅速な書き込みを必要とするメモリアプリケーション。 例はデータ収集の範囲であり、書込み回数 サイクルが重要な場合があります。 シリアルフラッシュまたはEEPROMの書き込み時間が長いとデータが失われる可能性があります。

FM25CL64Bはシリアル・ユーザーに大きなメリットをもたらします EEPROMまたはフラッシュをハードウェアのドロップイン代替品として使用できます。 ザ FM25CL64Bは高速SPIバスを使用しています。 F-RAM技術の高速書き込み能力。デバイス 仕様は工業用温度で保証されています -40℃〜+ 85℃の範囲









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