■256Kビット強誘電体ランダムアクセスメモリ（F-RAM） 32K×8として論理的に編成

❐高耐久性100兆（1014）の読み取り/書き込み

❐151年間のデータ保持（データ保持と耐久性を参照） 14ページ）

❐NoDelay™書き込み

❐高度な高信頼性強誘電体プロセス

■非常に高速なシリアルペリフェラルインターフェイス（SPI）

❐最大40MHzの周波数

❐シリアルフラッシュとEEPROMの直接ハードウェア交換

❐SPIモード0（0、0）およびモード3（1、1）をサポート

■洗練された書き込み保護スキーム

❐書き込み保護（WP）ピンを使用したハードウェア保護

❐書き込み無効命令を使用したソフトウェア保護

❐アレイ全体の1 / 4、1 / 2、または全体のソフトウェアブロック保護

■デバイスID

❐メーカーIDと製品ID

■低消費電力

❐40MHzで2.5mAの有効電流

❐150-Aスタンバイ電流

❐8-スリープモード電流

■低電圧動作：VDD = 2.0 V〜3.6 V

■工業用温度：–40C〜 +85C

■パッケージ

❐8ピンスモールアウトライン集積回路（SOIC）パッケージ

❐8ピンデュアルフラットノーリード（DFN）パッケージ

■有害物質の制限（RoHS）準拠

機能説明

FM25V02Aは、256Kビットの不揮発性メモリです。 高度な強誘電体プロセス。 F-RAMは不揮発性であり、 RAMと同様に読み取りと書き込みを実行します。信頼性の高い 複雑さを排除しながら151年間のデータ保持、 オーバーヘッド、およびシリアルによって引き起こされるシステムレベルの信頼性の問題 フラッシュ、EEPROM、およびその他の不揮発性メモリ。

シリアルフラッシュやEEPROMとは異なり、FM25V02Aは書き込みを実行します バス速度での操作。書き込み遅延は発生しません。データは 各バイトの直後にメモリ配列に書き込まれます デバイスに正常に転送されました。次のバスサイクルは データポーリングを必要とせずに開始します。加えて 製品は他と比較してかなりの書き込み耐久性を提供します 不揮発性メモリ。 FM25V02Aはサポートすることができます 1014の読み取り/書き込みサイクル、または1億倍の書き込みサイクル EEPROMより。

これらの機能により、FM25V02Aは不揮発性に最適です 頻繁または高速の書き込みを必要とするメモリアプリケーション。 例は、書き込みの数が含まれるデータロギングにまで及びます。 サイクルは、要求の厳しい産業用制御にとって重要な場合があります。 シリアルフラッシュまたはEEPROMの書き込み時間が長いと、データが失われる可能性があります。

FM25V02Aは、シリアルのユーザーに大きなメリットを提供します ハードウェアドロップインの代替品としてのEEPROMまたはフラッシュ。ザ・ FM25V02Aは、高速SPIバスを使用して、 F-RAMテクノロジーの高速書き込み機能。デバイス ホストができる読み取り専用のデバイスIDが組み込まれています メーカー、製品密度、および製品を決定します リビジョン。デバイスの仕様は、 –40Cから+85Cの工業用範囲。

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