SuperSOTTM-3 Nチャネルロジックレベルエンハンスメントモードパワー電界効果トランジスタは、フェアチャイルド独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小限に抑えるように特に調整されています。

これらのデバイスは、ノートブックコンピュータ、携帯電話、ＰＣＭＣＩＡカード、および高速スイッチング、および低いインライン電力損失が非常に小さい外形表面実装パッケージで必要とされる他のバッテリ駆動回路における低電圧用途に特に適している。

特徴

2.2 A、30 V、RDS（ON）= 0.065 W @ VGS = 4.5 VRDS（ON）= 0.082 W @ VGS = 2.5V。業界標準の概要独自のSuperSOTTM-3設計を採用し、優れた熱および電気性能を実現。極めて低いRDS（ON）のための高密度セル設計優れたオン抵抗と最大DC電流容量

在庫の新しいものと元のもの、私達に要求を送ることを歓迎します！
質問や支援が必要な場合はお問い合わせください。


LINGCHENGはあなたの夢をかなえます。

中国のICサプライヤー
電子部品メーカー
電子部品の中国サプライヤー