これらのNチャネルエンハンスメントモード電界電界効果トランジスタは、フェアチャイルド独自の平面ストライプDMOS技術を用いて製造される。

この最先端の技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェモードおよびコミュテーションモードで高エネルギーパルスに耐えるように特別に調整されています。

これらのデバイスは、オーディオアンプ、高効率スイッチングDC / DCコンバータ、DCモータ制御などの低電圧アプリケーションに適しています。

特徴

•57A、100V、RDS（on）=0.023Ω、@ VGS = 10V

•低ゲート電荷（標準85nC）

•Low Crss（標準150 pF）

•高速スイッチング

•100％アバランシェテスト済み

•改善されたdv / dt機能

•最大接合部温度定格175℃

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