低コレクタ - エミッタ飽和電圧VCE（sat）= 1.35 V typ。 （IC = 50 A、VGE = 15 V、Ta = 25°Cで）

高速リカバリダイオードを1つのパッケージに内蔵

トレンチゲートと薄膜ウェーハ技術

高速スイッチングtf = 74 ns typ。 （IC = 30 A、VCE = 400 V、VGE = 15 V、Rg = 5Ω、Ta = 25°C、誘導性負荷で）

パッケージ寸法

注文情報

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