◆NチャンネルパワーMOS FET

◆DMOSの構造

◆低いオン抵抗：0.11Ω（最大）

◆超高速スイッチング

◆SOT-89パッケージ

■アプリケーション

●ノートパソコン

●携帯電話および携帯電話

●オンボード電源

●リチウムイオン電池システム

■概要

XP161A02A1PRは、低オン抵抗と超高速スイッチング特性を備えたNチャネルパワーMOS FETです。高速スイッチングが可能であるため、ICを効率的に設定することができ、エネルギーを節約できます。小型SOT-89パッケージは高密度実装を実現します。可能

■特徴

低オン抵抗：Rds（on）=0.11Ω（Vgs = 4.5V）：Rds（on）=0.17Ω（Vgs = 2.5V）超高速スイッチング動作電圧：2.5V高密度実装：SOT-89

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