W9864G2IHは、512Kワード×4バンク×32ビット構成の高速SDRAMです。 W9864G2IHは、1秒あたり最大200Mワードのデータ帯域幅を提供します。用途が異なると、W9864G2IHはスピードグレード-5 / -6 / -6I / -6Aおよび-7に分類されます。

-5の部品は最大200MHz / CL3まで動作可能です。 -6 / -6I / -6A部品は最大166MHz / CL3まで動作可能です。 （-6I工業用グレード、-6A自動車用グレードで、-40℃〜85℃のサポートが保証されています。）-7製品は、最大143MHz / CL3まで動作可能です。

SDRAMへのアクセスはバースト指向です。 １ページ内の連続するメモリ位置は、バンクおよび行がＡＣＴＩＶＥコマンドによって選択されたときに１、２、４、８または全ページのバースト長でアクセスすることができる。

列アドレスはバースト動作においてＳＤＲＡＭ内部カウンタによって自動的に発生される。ランダムクロック読み出しは、各クロックサイクルでそのアドレスを提供することによっても可能です。複数バンクの性質により、内部バンク間のインターリーブがプリチャージ時間を隠すことを可能にする。

プログラム可能なモードレジスタを持つことによって、システムはその性能を最大にするためにバースト長、待ち時間サイクル、インターリーブまたはシーケンシャルバーストを変更することができます。 W9864G2IHは、メインメモリの高性能アプリケーションに最適です。

特徴

・-5 / -6 / -6I / -6Aグレードの電源で3.3V±0.3V -7グレードの電源で2.7V〜3.6V

最大200 MHzのクロック周波数

•524,288ワード×4バンク×32ビット構成

•セルフリフレッシュ電流：標準および低消費電力

•CASレイテンシ：2& A 3

•バースト長：1、2、4、8およびフルページ

•シーケンシャルバーストとインターリーブバースト

・DQM0-3が管理するバイトデータ

•オートプリチャージと制御プリチャージ

•バーストリード、シングルライト動作

•4Kリフレッシュサイクル/ 64ミリ秒

•インターフェイス：LVTTL

•RoHS準拠の鉛フリー材料を使用してTSOP II 86ピンにパッケージ化