1. 일반 설명
W9864G2GH는 512K 워드 × 4 뱅크 × 32 비트로 구성된 SDRAM (고속 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리)입니다. W9864G2GH는 파이프 라인 아키텍처와 0.11μm 프로세스 기술을 사용하여 초당 최대 800M 바이트의 데이터 대역폭을 제공합니다.

다른 응용 프로그램의 경우 W9864G2GH는 -5, -6 / -6C / -6I, -7 등의 속도 등급으로 분류됩니다. -5 개 부품은 최대 200MHz / CL3까지 작동 할 수 있습니다. -6 / -6C / -6I 부품은 최대 166 MHz / CL3까지 실행하십시오. CL = 2 / 3에서 tCK = 7.5nSon CL = 2, tIH = 0.8nS 인 -6C 등급.

-40 ° C ~ 85 ° C를 지원하는 -6I 등급입니다. -7 개 부품은 143 MHz / CL3까지 가동 할 수 있습니다.

SDRAM에 대한 액세스는 버스트 지향적입니다. 하나의 페이지에서 연속적인 메모리 위치는 뱅크와 로우가 ACTIVE 명령에 의해 선택 될 때 1, 2, 4, 8 또는 전체 페이지의 버스트 길이로 액세스 될 수 있습니다.

열 어드레스는 SDRAM 내부 카운터에 의해 자동으로 생성됩니다. 임의의 열 판독은 또한 각 클럭 사이클에서 어드레스를 제공함으로써 가능하다.

다중 뱅크 특성으로 인해 내부 뱅크 간 인터리빙을 통해 프리 차지 시간을 숨길 수 있습니다. 프로그램 가능한 모드 레지스터를 사용하여 시스템은 버스트 길이, 대기 시간주기, 인터리브 또는 연속 버스트를 변경하여 성능을 최대화 할 수 있습니다. W9864G2GH는 고성능 메인 메모리에 이상적입니다.

2. 특징
-5 / -6 / -6C / -6I 급 전원 공급 장치의 경우 3.3V ± 0.3V
-7 급 전원 공급 장치 용 2.7V ~ 3.6V
• 524,288 단어 × 4 뱅크 × 32 비트 구성
• 자체 리프레시 전류 : 표준 및 저전력
• CAS 대기 시간 : 2 & 삼
• 버스트 길이 : 1, 2, 4, 8 및 전체 페이지
• 순차 및 인터리브 버스트
• DQM0-3에 의해 제어되는 바이트 데이터
• 자동 프리 차지 및 제어 된 프리 차지
• 버스트 읽기, 단일 쓰기 작업
• 4K 리프레시 사이클 / 64mS
• 인터페이스 : LVTTL
• TSOP II 86 핀, 400 mil 패키지
• W9864G2GH는 무연 재료를 사용합니다.

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