W9864G2IH는 512K 워드 × 4 뱅크 × 32 비트로 구성된 SDRAM (고속 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리)입니다. W9864G2IH는 최대 200M 단어의 데이터 대역폭을 제공합니다. 다른 응용 프로그램의 경우 W9864G2IH는 -5 / -6 / -6I / -6A 및 -7의 속도 등급으로 분류됩니다.

-5 개 부품은 200MHz / CL3까지 작동 할 수 있습니다. -6 / -6I / -6A 부품은 166MHz / CL3까지 작동 할 수 있습니다. (-6I 산업용 등급, -6A 자동차 등급, -40 ° C ~ 85 ° C를 지원하도록 보증 됨) -7 부분 스캔은 143 MHz / CL3까지 작동합니다.

SDRAM에 대한 액세스는 버스트 지향적입니다. 하나의 페이지에서 연속적인 메모리 위치는 뱅크와 행이 ACTIVE 명령에 의해 선택 될 때 1, 2, 4, 8 또는 전체 페이지 버스트 길이로 액세스 할 수 있습니다.

열 어드레스는 SDRAM 내부 카운터에 의해 자동으로 생성됩니다. 임의의 열 판독은 또한 각 클록 사이클에서 그 어드레스를 제공함으로써 가능하다. 다중 뱅크 특성으로 인해 내부 뱅크 간 인터리빙이 가능하여 프리 차지 시간을 숨길 수 있습니다.

프로그램 가능한 모드 레지스터를 가짐으로써 시스템은 버스트 길이, 레이턴시 사이클, 인터리브 또는 연속 버스트를 변경하여 성능을 극대화 할 수 있습니다. W9864G2IH는 고성능 메인 메모리에 이상적입니다.

풍모

• -5 / -6 / -6I / -6A 등급 전원 공급 장치의 경우 3.3V ± 0.3V -7 급 전원 공급 장치의 경우 2.7V ~ 3.6V

• 최대 200MHz 클럭 주파수

• 524,288 단어 × 4 뱅크 × 32 비트 구성

• 자체 리프레시 전류 : 표준 및 저전력

• CAS 대기 시간 : 2 & 삼

• 버스트 길이 : 1, 2, 4, 8 및 전체 페이지

• 순차 및 인터리브 버스트

• DQM0-3에 의해 제어되는 바이트 데이터

• 자동 프리 차지 및 제어 된 프리 차지

• 버스트 읽기, 단일 쓰기 작업

• 4K 리프레시 사이클 / 64mS

• 인터페이스 : LVTTL

• RoHS를 준수하는 무연 재료를 사용하는 TSOP II 86 핀 패키지